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スペクトル分析のハフニウムの二酸化物/ハフニウムの酸化物Hfo2 Cas 12055-23-1無し
商品の詳細:
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詳細製品概要
| CAS 数: | 12055-23-1 | 分子方式: | HfO2 |
|---|---|---|---|
| 分子量: | 210.4888 | エイネック: | 235-013-2 |
| 外観: | 白色粉末 | 密度: | 25のºC （lit.）のowderの9.68 g/mL |
| ハイライト: | バナジウム五酸化物,三酸化アンチモン |
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スペクトル分析のための方式HfO2の白いハフニウムの酸化物の粉
金属酸化膜半導体分野効果の管の(MOSFET)のゲートの誘電性の無水ケイ酸（SiO2）の中心の部品の現在のケイ素ベースの集積回路を取り替えることは本当らしいのでハフニウム（HfO2）は企業の特にマイクロエレクトロニクスの分野の製陶術の広帯域ギャップそして高い比誘電率、最近です非常に注意SiO2/Siのサイズのの従来の構造の開発のMOSFETを解決するために限界です。
1の分子方式:HfO2
2. 分子量:210.6
3. 出現:白いですか灰色の切れ、粒子
4. 密度:9.68g/cm3
5の融点:摂氏度2850の
6. 蒸発圧力
2678 C、1Pa
2875 C、10Pa
7. 線形拡張の係数:5.6 x 10-6/K
8. 容解性:水で不溶解性
8の純度:99.99
9. フィルムの特徴:
220からの12000Nmへの軽い伝送の範囲
R.i. （250nm） | 2.15
（500nm） | 2
10. 蒸発の状態:
電子銃
1~2 x 10-2Paへの酸素の分圧
摂氏度2600~2800のへの蒸発の温度
摂氏度250のへの基質の温度
蒸発速度2nm/s
適用分野:紫外線反射防止フィルム、干渉の膜
CAS第12055-23-1
製品名のハフニウム（iv）酸化物
同義語の酸素の（- 2）陰イオン;Dioxohafnium;ハフニウム（iv）のïの¿の½の酸化物（99.998% hf） Puratrem;ハフニウムの二酸化物;ハフニウムの酸化物;ハフニウム（+4）陽イオン;Hafnium酸化物sinteredlumps;Hafnia;ハフニウムの酸化物(hfo2);Hafnium酸化物offwhitepowder;hafnia （hfo2）;ハフニウムの二酸化物;ハフニウムの二酸化物（hfo2）;hafnotrast;hf 05;hf 05 （酸化物）;nsc 158931
分子方式HfO2
分子量210.4888
InChI 1/Hf.2O/rHfO2/c2-1-3
EINECS 235-013-2
物理データ
出現の粉
密度25 ºCの9.68 g/mL （lit.）
融点2812ºC
分析証明書
| 項目 | 指定 | 試験結果 | ||||||
| HfO2+Zr （%、分） | 99.9%分 | 合わせて下さい | ||||||
| 再不純物（%、最高） | ||||||||
| Fe | 0.0002 | 合わせて下さい | ||||||
| Al | 0.0001 | 合わせて下さい | ||||||
| Si | 0.002 | 合わせて下さい | ||||||
| チタニウム | 0.01 | 合わせて下さい | ||||||
| B | 0.0025 | 合わせて下さい | ||||||
| Pb | 0.001 | 合わせて下さい | ||||||
| CD | 0.0001 | 合わせて下さい | ||||||
| CU | 0.002 | 合わせて下さい | ||||||
| Cr | 0.005 | 合わせて下さい | ||||||
| Mg | 0.001 | 合わせて下さい | ||||||
| Mo | 0.001 | 合わせて下さい | ||||||
| Mn | 0.001 | 合わせて下さい | ||||||
| NI | 0.0015 | 合わせて下さい | ||||||
| Sn | 0.002 | 合わせて下さい | ||||||
| V | 0.001 | 合わせて下さい | ||||||
| L.O.I （1100℃） | 1 | 合わせて下さい | ||||||
| 他の索引 | ||||||||
| 粒度（mm） | 0.1-3 | 合わせて下さい | ||||||
連絡先の詳細
Changsha Easchem Co., Limited
コンタクトパーソン: andrew.liao
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